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第七十七章 有进展了（第1页）

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劳斯莱斯一路不停，开到凌氏集团的职工高档公寓小区，早已接到通知的颜晓芸的母亲、弟弟和妹妹早已等后多时，等汽车来了以后，就把行李放进汽车的后背箱中，上车，汽车没有停留多久又再次启动起来，离开了小区。

把家人安置到凌世哲为他们准备的小别墅区后，又带着他们去看了看颜晓芸住的房子。

看着占地广大的庄园别墅，颜妈妈和弟弟妹妹都被庄园的奢华震得不轻，颜妈妈还好点，毕竟以前当过富太太有些见识，但颜晓芸的弟弟妹妹们就不行了。

看到两个孩子的丑样，颜妈妈训诉了他们一顿，然后把他们打发掉，让他们去别的地方玩，又拉着女儿的手到人工湖亭子中坐下，颜妈妈对颜晓芸说道：“你真打算做他小老婆了？”

“嗯……”颜晓芸红着脸点了点头。

听到女儿的回答，颜妈妈眼泪一下涌了出来，哭道：“命，这都是命，我们颜家以前怎么说也是富豪之家，你有是颜家的千金大小姐，当初如果你爹不去炒什么股票，你也不会落得给人当小老婆，他倒好，一走了之，对我们撒手不管，妈对不住你啊……呜……呜……”

“妈……别说了……呜……不是妈的错，是我自己愿意的，他带我很好，除了没有名分，妈，别伤心了，呜……”

母女两抱头痛哭，可怜自己的命运，如果当初颜晓芸的父亲颜石清，不是被人怂恿，玩什么股票，也不会被人装了笼子，不但把自己的家产全都输了进去，还欠了一屁股的烂债，颜家也不至于落到今天的下场，所以说，股票这个玩意，有点闲钱玩一玩可以，但绝对不能把整个家产都投入进去，更不能借钱炒股。

何况香港这个时候的证券市场里面有太多的各种金融骗局，对股市什么都不懂的人，拿点闲钱出来，买上一两支自己看好的股票来长期持有炒懒股，就是最好的投资方式，想要去偷鸡，哼，坑死你。

颜晓芸的父亲就是中了这种歹毒的金融骗局，以为自己能赚钱，是股神巴菲特，其实自己什么都不懂，不但把自己所有的家产给投了进去，还对外借了很多的高利贷，结果不到一个月，股市大跌，颜家倾家荡产，颜石清也一病不起，没两年就咽了气，留下这对孤儿寡母在世间受苦。

当初也不想想炒股失败的后果，就这么一头钻了进去，如果只是一点零花钱，亏了也就亏了，也不至于落得这幅下场；令利智昏，害了自己更害了家人。

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凌世哲过得很逍遥，这些日子一直都在三个女人之间打转，今天在李莉那里留宿，明天又在颜晓芸家里，后天又在赵晓芸家里，日子过得不要太舒服。

新得一位美人，的确是令他心情愉快，但令他更愉快的是，加拿大传来的消息，刀片服务器的研发有了新得进展，尼恩他们经过好几个月的努力，终于在前天，成功做出世界上第一个固态硬盘。

硬盘由8块闪存芯片、一块主控芯片、一块缓存芯片组成；nandflash闪存芯片属于mlc闪存，一块闪存芯片的存储容量为2m。

在后世，nandflash闪存芯片一般分为slc（单层单元）mlc（多层单元）以及tlc（三层单元）nand闪存。

mlc闪存在固态硬盘中使用的最广的闪存技术，mlc全称是多层式储存，其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本，从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过，mlc的缺点也很明显，其写入寿命较短，读写方面的能力也比slc低，官方给出的可擦写次数仅为1万次，但是一般为3000－10000次。

别看它擦写寿命少，但凌世哲通过均衡算法对存储单元的管理，就可以使寿命被大大的提高。

闪存完全擦写一次叫做1次pe，因此闪存的寿命就以pe作单位。例如，34nm的闪存芯片寿命约是5000次pe，而25nm的寿命约是3000次pe。

通过均衡算法对存储单元的管理，就可以减少不必要的写入量；比如后世一块120g的固态硬盘，要写入120g的文件才算做一次pe。普通用户正常使用，即使每天写入50g，平均2天完成一次pe，3000个pe能用20年，到那时候，固态硬盘早就被替换成更先进的设备了。

所以在固态硬盘中，指控芯片是一个关键性的指标，它是固态硬盘的大脑，其作用，一是合理调配数据在各个闪存芯片上的负荷；二则是承担了整个数据中转，连接闪存芯片和外部sata接口。不同的主控之间能力相差非常大，在数据处理能力、算法上，对闪存芯片的读取写入控制上会有非常大的不同，直接会导致固态硬盘产品在性能上产生很大的差距。

总之，好的主控芯片不但能大大够提高数据的读写速度、减少数据读写的错误，更能够使固态硬盘的使用寿命和容量空间大大的增加，反之，固态硬盘读写慢不说，数据读写错误也多，使用寿命也短。

另外，缓存也能大大提高固态硬盘的性能，在后世的市面上有一些廉价固态硬盘方案为了节省成本，省去了这块缓存芯片，这对硬盘的性能会产生很大的影响。

在尼恩的发来的报告中，固态硬盘是要作为刀片服务器的硬盘来用的，对它的稳定性和可靠性要求极高，所以这块固态硬盘他使用了2块缓存芯片，来提高硬盘的性能和数据读写的准确度；另外尼恩打算再次的优化和提高数据的算法，好让主控芯片的性能变得更加优秀，一块主控芯片完全够用，不需要在另外增加。

单颗nandflash闪存芯片的容量有2m，使用的是9微米制程工艺技术，不过尼恩找到一种新方法，可以在同等的微米制程工艺技术上来提高闪存颗粒的密度，来大大提高闪存芯片的容量。

尼恩这份报告，到让凌世哲想起了后世三星和东芝的固态硬盘容量之争；当时东芝公司的固态硬盘用的nandflash闪存芯片使用的是90纳米工艺，而三星却用的是74纳米制程工艺来生产nandflash闪存芯片，这让东芝公司在固态硬盘的竞争中处于绝对劣势；如果要把90纳米的芯片生产线升级成74纳米生产线，除了花费不菲的经费以为，时间上也肯定来不及，怎么办？

在这个时候，东芝的一名科学家小岛一夫，提出采用增加闪存颗粒密度来增加容量的办法，这个提议整个东芝公司上下根本就不相信，小岛一夫的提议没有被采纳不说，还遭到了极其严厉的谴责。

要知道，当时提高闪存芯片容量的办法只有一种，那就是提高芯片的工艺制程，比如从90纳米提高到74纳米，这是最有效的办法，总之，闪存芯片的工艺制程度越高，容量就越大是当时的真理。

但年轻的小岛一夫不这么看，他认为提高闪存工艺制造度固然能提高闪存芯片的容量，但它并不是唯一的，在同等的制程工艺下，提高闪存颗粒的密度，一样能够提高闪存的容量。

高层的谴责让小岛一夫在公司中举步维艰，每天都要面对周围同事的嘲笑，人生陷入低估。

小岛一夫并没有气馁，对周围同事异样的目光和嘲弄完全不顾，反而对闪存芯片展开了更加深入的研究。为了洗刷耻辱，他废寝忘食，连吃住都在实验室，终于在三个月后，小岛一夫成功的在90纳米工艺的闪存芯片上成功实现了高密度的闪存颗粒集成，其闪存颗粒密度比三星公司74纳米闪存芯片的闪存颗粒密度还要高出10%，闪存的容量提高了近一倍，震惊了世界。

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